En doublant le débit de la DDR5 avec sa future mémoire DDR6, Micron prépare déjà le grand saut matériel de nos PC pour 2027
Lors de sa présentation technologique destinée aux investisseurs en cet automne 2026, le fondeur américain Micron Technology a levé le voile sur l’architecture de ses prochaines générations de puces DRAM et NAND. Entre une mémoire DDR6 capable de doubler la bande passante de la DDR5, l’abandon surprise des cellules 4F² après vingt ans de recherche et l’arrivée de la mémoire flash NAND G11 à plus de 400 couches, cette feuille de route dessine le visage de nos futurs composants PC à l’horizon 2027 et 2028.
Gravure 1-delta et mémoire DDR6 : deux fois la bande passante de la DDR5 dès fin 2027
Le pivot central de cette annonce repose sur le futur nœud de gravure planaire 1-delta (1δ) de Micron, appelé à succéder directement à l’actuel procédé 1-gamma (1γ). Actuellement en phase d’optimisation des rendements dans les usines américaines du constructeur, cette technologie 1-delta entrera en production de volume au second semestre 2027. Sur le plan physique, elle apporte un gain de densité binaire de l’ordre de 20 à 25 % par rapport au nœud 1-gamma, tout en s’appuyant sur des transistors CMOS à grille métallique High-K (HKMG) avancés et un contrôle de gravure à l’échelle de l’angström.
C’est précisément sur ce silicium 1-delta que Micron bâtira ses deux prochains standards majeurs : la DDR6 et la LPDDR6. Pour la DDR6, l’objectif affiché est de doubler la bande passante par rapport à la DDR5 actuelle, accompagnée dans les centres de données par de nouveaux modules serveur RDIMM grimpant jusqu’à 1 To par barrette (contre 512 Go sur la génération précédente). De son côté, la mémoire basse consommation LPDDR6 promet une réduction énergétique de 35 % (et même au-delà sur certaines densités) face à la LPDDR5. Si Micron travaille déjà main dans la main avec Meta pour intégrer cette LPDDR6 dans de futurs serveurs d’intelligence artificielle, ce saut d’efficacité énergétique intéressera directement les ordinateurs ultraportables ainsi que les futures consoles portables comme le Steam Deck 2 et la PS6 portable.
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L’abandon fracassant du 4F² après vingt ans de recherche et le pari du vHBM vertical
L’enseignement technique le plus inattendu de cette conférence concerne l’architecture même des cellules DRAM. Après plus de deux décennies d’exploration en laboratoire, Micron et son directeur technique Scott DeBoer ont officiellement sifflé la fin des recherches sur les cellules 4F². Longtemps présentée dans l’industrie comme la solution miracle pour réduire de 33 % l’empreinte au sol des cellules par rapport au design 6F² conventionnel grâce à des transistors à canal vertical, l’architecture 4F² est désormais qualifiée d’impasse par le fondeur américain. Selon ses ingénieurs, elle n’offre aucun avantage réel de densité à long terme, tout en alourdissant considérablement la complexité et les coûts de production.
À contre-courant de plusieurs concurrents asiatiques qui misent encore sur le 4F², Micron choisit de prolonger son architecture 6F² en la combinant à la lithographie EUV à haute ouverture numérique (High-NA EUV), au collage de galettes (wafer bonding) et à de nouveaux matériaux, avant d’opérer la bascule vers la véritable DRAM 3D. Cette verticalité s’incarne dès à présent sur le marché des accélérateurs graphiques : après la mémoire HBM4 à 12 couches (2,8 To/s par pile) et ses déclinaisons HBM4E puis HBM5, Micron introduira à l’horizon 2028 son architecture vHBM (vertical HBM). En empilant directement les couches mémoire au-dessus de la puce de calcul via un collage hybride (hybrid bonding), le constructeur raccourcit au maximum le trajet des données, épaulé par un futur module vEIM visant 2 To/s de débit pour une consommation inférieure à 1 picojoule par bit.
Flash NAND G11 à plus de 400 couches : ce qui attend nos futurs SSD NVMe
Le troisième volet de cette feuille de route touche directement au stockage flash. Alors que la production de la mémoire NAND G9 bat son plein, Micron prépare activement la génération NAND G11, dont la montée en volume est elle aussi fixée au second semestre 2027. En s’appuyant sur un assemblage wafer-sur-wafer qui franchit le cap symbolique des 400 couches, cette mémoire G11 promet de doubler la densité binaire face à la NAND G9, d’augmenter de 50 % la vitesse des entrées et sorties (I/O) et d’améliorer de plus de 25 % l’efficacité énergétique par transfert de données.
Toutefois, la répartition des capacités de production rappelle brutalement la réalité du marché actuel. Micron met l’accent sur deux nouvelles familles de NAND dites de « classe IA » (l’une en SLC à très haut nombre d’opérations par seconde pour les accès fins, l’autre empilée par TSV près des processeurs pour gérer le cache et le contexte des grands modèles). Un fléchage industriel massif vers les serveurs qui explique pourquoi la pénurie de puces mémoire fait flamber les tarifs de la RAM jusqu’en 2028 sur le segment grand public.
Mon banc d’essai
Sur le papier, voir la DDR6 doubler la bande passante de la DDR5 et la NAND G11 dépasser les 400 couches dès la fin 2027 a tout pour enthousiasmer le passionné d’architecture matérielle que je suis. Le pragmatisme de Micron sur l’abandon du 4F² montre d’ailleurs qu’il vaut mieux consolider un procédé 6F² maîtrisé plutôt que de faire exploser le coût des wafers sur une impasse physique. Mais en regardant cette feuille de route avec mes yeux de joueur PC, difficile de ne pas ressentir une certaine froideur : Micron souligne lui-même que l’IA dite « agentique » multiplie par trente la demande en mémoire par rapport à l’inférence classique. Autrement dit, les premières tranches de silicium 1-delta et les premières barrettes DDR6 seront intégralement aspirées par les géants du cloud au prix fort. Lorsqu’elle débarquera enfin sur nos cartes mères grand public vers 2028, la DDR6 imposera un changement complet de plateforme et de socket à des tarifs de lancement qui s’annoncent redoutables. Si vous envisagez de monter ou de faire évoluer votre tour gaming cette année, n’attendez surtout pas ce mirage lointain : un kit DDR5 bien calibré a encore de longues années de marge avant de brider le moindre moteur graphique.
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Passionné de hardware et de jeu vidéo, Arthur « Heimdall » navigue entre la France et l'Angleterre où il travaille dans la vente de solutions logicielles B2B. Diplômé d'école de commerce et passionné de bancs d'essai, il monte et démonte des PC depuis son enfance, traquant chaque degré thermique et chaque milliseconde de latence d'affichage. Joueur éclectique passé par Assassin's Creed et Roblox, c'est sur les raids de World of Warcraft qu'il a rencontré Grimtag et Chaya avant de rejoindre l'aventure Pro-Gamer.
